casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / IMT18T110
Número da peça de fabricante | IMT18T110 |
---|---|
Número da peça futura | FT-IMT18T110 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IMT18T110 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 12V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 200mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 10mA, 2V |
Potência - Max | 300mW |
Freqüência - Transição | 260MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMT18T110 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IMT18T110-FT |
HN1C01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2A01FE-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2A01FE-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FE-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FEYTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4B01JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4207-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
A1010B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC3SD3400A-4CSG484LI
Xilinx Inc.
XC3S1500L-4FGG320C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF40I3N
Intel
5SGXEA7K2F35I3L
Intel
AX500-1FGG676I
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP2S90F1508I4
Intel
EP2C20Q240C8
Intel