casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IMS5SWDBH2R2J65
Número da peça de fabricante | IMS5SWDBH2R2J65 |
---|---|
Número da peça futura | FT-IMS5SWDBH2R2J65 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IMS-5SWD-65 |
IMS5SWDBH2R2J65 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | Iron |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 1.1A |
Atual - saturação | 1.1A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 190 mOhm Max |
Q @ Freq | 45 @ 7.9MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 100MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.9MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.162" Dia x 0.410" L (4.11mm x 10.41mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS5SWDBH2R2J65 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IMS5SWDBH2R2J65-FT |
IM10RFCLBH4R7K12
Vishay Dale
IM10RFCLBH561J12
Vishay Dale
IM10RFCLBH5R6K12
Vishay Dale
IM10RFCLBH680J12
Vishay Dale
IM10RFCLBH6R8K12
Vishay Dale
IM10RFCLBH820J12
Vishay Dale
IM10RFCLBH8R2K12
Vishay Dale
IM10RFCLEB103J12
Vishay Dale
IM10RFCLEB182J12
Vishay Dale
IM10RFCLEB1R8K12
Vishay Dale
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation