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Número da peça de fabricante | IMS05SH2R2K |
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Número da peça futura | FT-IMS05SH2R2K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IMS-5 |
IMS05SH2R2K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 650mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 190 mOhm Max |
Q @ Freq | 44 @ 7.9MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 100MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.9MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.162" Dia x 0.410" L (4.11mm x 10.41mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS05SH2R2K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IMS05SH2R2K-FT |
IMS05EV562K
Vishay Dale
IMS05EV5R6K
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IMS05EV821K
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A3P600L-FGG484
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LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
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Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel