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Número da peça de fabricante | IMS05RU3R9K |
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Número da peça futura | FT-IMS05RU3R9K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IMS-5 |
IMS05RU3R9K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 3.9µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 450mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 400 mOhm Max |
Q @ Freq | 44 @ 7.9MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 75MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.9MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.162" Dia x 0.410" L (4.11mm x 10.41mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS05RU3R9K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IMS05RU3R9K-FT |
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Vishay Dale
IMS05EBR10K
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XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation