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Número da peça de fabricante | IMS02RUR10K |
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Número da peça futura | FT-IMS02RUR10K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IMS-2 |
IMS02RUR10K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | Iron |
Indutância | 100nH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 670mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 100 mOhm Max |
Q @ Freq | 54 @ 25MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 490MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 25MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS02RUR10K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IMS02RUR10K-FT |
IMS02BH101K
Vishay Dale
IMS02BH120J
Vishay Dale
IMS02BH150K
Vishay Dale
IMS02BH180J
Vishay Dale
IMS02BH180K
Vishay Dale
IMS02BH1R0J
Vishay Dale
IMS02BH1R0K
Vishay Dale
IMS02BH1R2J
Vishay Dale
IMS02BH1R2K
Vishay Dale
IMS02BH1R5J
Vishay Dale
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel