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Número da peça de fabricante | IMS02EB3R3K |
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Número da peça futura | FT-IMS02EB3R3K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IMS-2 |
IMS02EB3R3K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | Iron |
Indutância | 3.3µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 185mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 1.3 Ohm Max |
Q @ Freq | 49 @ 7.9MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 80MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.9MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMS02EB3R3K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IMS02EB3R3K-FT |
IM10BH502K
Vishay Dale
IM10BH562J
Vishay Dale
IM10BH682J
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IM10BH822J
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IM10EB472J
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IM10EB472K
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IM10ET103J
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IM10ET472J
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IM10EZ472J
Vishay Dale
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel