casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / IMH2AT110
Número da peça de fabricante | IMH2AT110 |
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Número da peça futura | FT-IMH2AT110 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IMH2AT110 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 300mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMH2AT110 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IMH2AT110-FT |
XN0413000L
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XN0421000L
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XN0421100L
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XC2V1000-5FGG456I
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XCKU025-1FFVA1156C
Xilinx Inc.
XA3S1600E-4FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000L-FGG484M
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A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQG100
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5SGXMA5H3F35C2N
Intel
A40MX04-2PQG100
Microsemi Corporation