casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / IMH21T110
Número da peça de fabricante | IMH21T110 |
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Número da peça futura | FT-IMH21T110 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IMH21T110 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 600mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 20V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 820 @ 50mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 150MHz |
Potência - Max | 300mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SMT6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMH21T110 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IMH21T110-FT |
XN0411500L
Panasonic Electronic Components
XN0411600L
Panasonic Electronic Components
XN0413000L
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XN0421000L
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XN0421600L
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XC6SLX16-3FT256I
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XCKU035-2FBVA676E
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG484I
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AGLN030V2-ZQNG48I
Microsemi Corporation
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5SGXMA5H2F35C2N
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5SGXMA5K3F35C2N
Intel
EP3SE80F1152I4
Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel