casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IMC1812ES6R8J
Número da peça de fabricante | IMC1812ES6R8J |
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Número da peça futura | FT-IMC1812ES6R8J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IMC-1812 |
IMC1812ES6R8J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 6.8µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 285mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 1.2 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 27MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1812 (4532 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1812 |
Tamanho / dimensão | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.134" (3.40mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1812ES6R8J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IMC1812ES6R8J-FT |
IMC1812ER820J
Vishay Dale
IMC1812ER820K
Vishay Dale
IMC1812ER821J
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IMC1812ERR10M
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IMC1812ERR15M
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A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel