casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IMC1812EBR56J
Número da peça de fabricante | IMC1812EBR56J |
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Número da peça futura | FT-IMC1812EBR56J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IMC-1812 |
IMC1812EBR56J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Non-Magnetic |
Indutância | 560nH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 285mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 1.2 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 170MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 25.2MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1812 (4532 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1812 |
Tamanho / dimensão | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.134" (3.40mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1812EBR56J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IMC1812EBR56J-FT |
IMC1812EB120K
Vishay Dale
IMC1812EB121J
Vishay Dale
IMC1812EB121K
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IMC1812EB12NM
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IMC1812EB150J
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IMC1812EB180J
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IMC1812EB180K
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LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel