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Número da peça de fabricante | IMC1812BN1R5K |
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Número da peça futura | FT-IMC1812BN1R5K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IMC-1812 |
IMC1812BN1R5K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 1.5µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 410mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 600 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 70MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1812 (4532 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1812 |
Tamanho / dimensão | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.134" (3.40mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1812BN1R5K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IMC1812BN1R5K-FT |
IMS05ST102K
Vishay Dale
IMS05ST120K
Vishay Dale
IMS05ST121J
Vishay Dale
IMS05ST121K
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IMS05ST122J
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IMS05ST150J
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IMS05ST150K
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IMS05ST151J
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IMS05ST151K
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IMS05ST152K
Vishay Dale
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel