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Número da peça de fabricante | IMC1210BN2R2J |
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Número da peça futura | FT-IMC1210BN2R2J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IMC-1210 |
IMC1210BN2R2J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 320mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 1 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 75MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210BN2R2J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IMC1210BN2R2J-FT |
ISC1210SY3R9J
Vishay Dale
ISC1210SY3R9K
Vishay Dale
ISC1210SY470J
Vishay Dale
ISC1210SY470K
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ISC1210SY47NM
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ISC1210SY4R7J
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ISC1210SY4R7K
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ISC1210SY560K
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ISC1210SY56NM
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LCMXO1200C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CGX150CF23C7N
Intel
EP3C16U256C8N
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10AX048K4F35I3LG
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5SGXEA3K2F35I3
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XC2VP50-6FF1148C
Xilinx Inc.
EP2AGX65CU17C6N
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EPF10K50VQC240-2
Intel