casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IMC1008ER82NJ
Número da peça de fabricante | IMC1008ER82NJ |
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Número da peça futura | FT-IMC1008ER82NJ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IMC-1008 |
IMC1008ER82NJ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ceramic |
Indutância | 82nH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 1A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 180 mOhm Max |
Q @ Freq | 60 @ 350MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 1.1GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.075" (1.90mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1008ER82NJ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IMC1008ER82NJ-FT |
IMC2220ER560K
Vishay Dale
IMC2220ER562J
Vishay Dale
IMC2220ER680K
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Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-6FN900I
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LCMXO1200E-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
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EP1S40F1020C6
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