casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IM10RA822J
Número da peça de fabricante | IM10RA822J |
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Número da peça futura | FT-IM10RA822J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IM |
IM10RA822J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | Iron |
Indutância | 8.2mH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 50mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 65 Ohm Max |
Q @ Freq | 80 @ 250kHz |
Freqüência - auto-ressonante | 1.05MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 250kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.240" Dia x 0.740" L (6.10mm x 18.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM10RA822J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IM10RA822J-FT |
IM06SS471K
Vishay Dale
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XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-ZVQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2N
Intel
5SGXMB6R2F43I3LN
Intel
EP4SE530H40C3N
Intel
LCMXO256C-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35C5N
Intel
EP4CE55F29I7
Intel
EPF10K100EQC208-2X
Intel