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Número da peça de fabricante | IM02SH1R5J |
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Número da peça futura | FT-IM02SH1R5J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IM |
IM02SH1R5J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | Iron |
Indutância | 1.5µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 535mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 220 mOhm Max |
Q @ Freq | 28 @ 7.9MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 140MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.9MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM02SH1R5J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IM02SH1R5J-FT |
IM02RU2R7K
Vishay Dale
IM02RU300J
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IM02RU391K
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XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation