casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IM02RU470J
Número da peça de fabricante | IM02RU470J |
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Número da peça futura | FT-IM02RU470J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IM |
IM02RU470J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 47µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 110mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 4.5 Ohm Max |
Q @ Freq | 45 @ 2.5MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 20MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 2.5MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM02RU470J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IM02RU470J-FT |
IM02EV2R2K
Vishay Dale
IM02EV2R7H
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IM02EV2R7K
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IM02EV330K
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IM02EV560K
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel