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Número da peça de fabricante | IM02RU2R0J |
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Número da peça futura | FT-IM02RU2R0J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IM |
IM02RU2R0J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | Iron |
Indutância | 2µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | - |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.9MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM02RU2R0J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IM02RU2R0J-FT |
IM02ES3R9F
Vishay Dale
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EPF10K20TC144-4
Intel
LFEC3E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel