casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IM02ES1R6J
Número da peça de fabricante | IM02ES1R6J |
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Número da peça futura | FT-IM02ES1R6J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IM |
IM02ES1R6J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | Iron |
Indutância | 1.6µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | - |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.9MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM02ES1R6J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IM02ES1R6J-FT |
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Vishay Dale
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IM02EB181K
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel