casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IM02EBR82K
Número da peça de fabricante | IM02EBR82K |
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Número da peça futura | FT-IM02EBR82K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IM |
IM02EBR82K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | Phenolic |
Indutância | 820nH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 415mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 850 mOhm Max |
Q @ Freq | 28 @ 25MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 250MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 25MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM02EBR82K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IM02EBR82K-FT |
IM02BH8R2F
Vishay Dale
IM02BH8R2J
Vishay Dale
IM02BH8R2K
Vishay Dale
IM02BH910J
Vishay Dale
IM02BH9R1J
Vishay Dale
IM02BHR10G
Vishay Dale
IM02BHR10H
Vishay Dale
IM02BHR10J
Vishay Dale
IM02BHR10K
Vishay Dale
IM02BHR11J
Vishay Dale
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel