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Número da peça de fabricante | IM02EB1R0K |
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Número da peça futura | FT-IM02EB1R0K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IM |
IM02EB1R0K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | Phenolic |
Indutância | 1µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 385mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 1 Ohm Max |
Q @ Freq | 25 @ 25MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 230MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.9MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM02EB1R0K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IM02EB1R0K-FT |
IMC1812RV1R8J
Vishay Dale
IMC1812RV1R8K
Vishay Dale
IMC1812RV220J
Vishay Dale
IMC1812RV220K
Vishay Dale
IMC1812RV221K
Vishay Dale
IMC1812RV22NM
Vishay Dale
IMC1812RV270K
Vishay Dale
IMC1812RV271K
Vishay Dale
IMC1812RV27NM
Vishay Dale
IMC1812RV2R2J
Vishay Dale
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel