casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IM02BH3R6J
Número da peça de fabricante | IM02BH3R6J |
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Número da peça futura | FT-IM02BH3R6J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IM |
IM02BH3R6J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | Iron |
Indutância | 3.6µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | - |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.9MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM02BH3R6J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IM02BH3R6J-FT |
IM01ESR22K
Vishay Dale
IM01EV100K
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A1425A-PQ100I
Microsemi Corporation
XC2S50E-6FTG256I
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M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200CF672C8
Intel
XC7K410T-1FFG676C
Xilinx Inc.
LFXP3C-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel
EP1S10F780I6
Intel