casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IM02BH3R3J
Número da peça de fabricante | IM02BH3R3J |
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Número da peça futura | FT-IM02BH3R3J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IM |
IM02BH3R3J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | Iron |
Indutância | 3.3µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 270mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 850 mOhm Max |
Q @ Freq | 45 @ 7.9MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 90MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.9MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM02BH3R3J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IM02BH3R3J-FT |
IM01ESR15K
Vishay Dale
IM01ESR18K
Vishay Dale
IM01ESR22K
Vishay Dale
IM01EV100K
Vishay Dale
IM01RU100K
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IM01RU1R0K
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Vishay Dale
IM01RUR12K
Vishay Dale
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel