casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / IKW15N120H3FKSA1
Número da peça de fabricante | IKW15N120H3FKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IKW15N120H3FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchStop® |
IKW15N120H3FKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 30A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 60A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 15A |
Potência - Max | 217W |
Energia de comutação | 1.55mJ |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 75nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 21ns/260ns |
Condição de teste | 600V, 15A, 35 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 260ns |
Temperatura de operação | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IKW15N120H3FKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IKW15N120H3FKSA1-FT |
IRG4BC10K
Infineon Technologies
IRG4BC10KDPBF
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IRG4BC10KPBF
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IRG4BC15MDPBF
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LCMXO640C-4TN100C
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M2GL025-1FG484I
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M2GL090T-1FG484
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Microsemi Corporation
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EP4CGX30BF14I7N
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LCMXO640E-3MN132I
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