casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / IKD06N60RAATMA1
Número da peça de fabricante | IKD06N60RAATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IKD06N60RAATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchStop™ |
IKD06N60RAATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 12A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 18A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 6A |
Potência - Max | 100W |
Energia de comutação | 110µJ (on), 220µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 48nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 12ns/127ns |
Condição de teste | 400V, 6A, 23 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 68ns |
Temperatura de operação | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO252-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IKD06N60RAATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IKD06N60RAATMA1-FT |
IXYP15N65C3D1M
IXYS
IXYP20N120C3
IXYS
IXYP20N65C3D1
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IXYP30N120C3
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IXYP8N90C3D1
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IXGP12N100
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A42MX09-1VQ100M
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XC7K420T-1FFG901I
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XC5VLX110-1FFG676C
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation