casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / IHW30N160R2FKSA1
Número da peça de fabricante | IHW30N160R2FKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IHW30N160R2FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchStop® |
IHW30N160R2FKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Last Time Buy |
Tipo IGBT | NPT, Trench Field Stop |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 60A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 90A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
Potência - Max | 312W |
Energia de comutação | 4.37mJ |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 94nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | -/525ns |
Condição de teste | 600V, 30A, 10 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHW30N160R2FKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IHW30N160R2FKSA1-FT |
IRGB10B60KDPBF
Infineon Technologies
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XC6SLX16-2FTG256I
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XC7S75-2FGGA484I
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M1A3P400-PQ208
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