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Número da peça de fabricante | IHSM7832EB102L |
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Número da peça futura | FT-IHSM7832EB102L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IHSM-7832 |
IHSM7832EB102L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 1mH |
Tolerância | ±15% |
Classificação atual | 510mA |
Atual - saturação | 210mA |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 2.42 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.840" L x 0.320" W (21.34mm x 8.13mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.285" (7.24mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHSM7832EB102L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IHSM7832EB102L-FT |
DR1050-821-R
Eaton - Electronics Division
DR124-102-R
Eaton - Electronics Division
DR124-121-R
Eaton - Electronics Division
DR124-151-R
Eaton - Electronics Division
DR124-180-R
Eaton - Electronics Division
DR124-181-R
Eaton - Electronics Division
DR124-270-R
Eaton - Electronics Division
DR124-271-R
Eaton - Electronics Division
DR124-390-R
Eaton - Electronics Division
DR124-3R9-R
Eaton - Electronics Division
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel