casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IHSM5832ER3R9L
Número da peça de fabricante | IHSM5832ER3R9L |
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Número da peça futura | FT-IHSM5832ER3R9L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IHSM-5832 |
IHSM5832ER3R9L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 3.9µH |
Tolerância | ±15% |
Classificação atual | 7.9A |
Atual - saturação | 3.1A |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 21 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.640" L x 0.320" W (16.26mm x 8.13mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.285" (7.24mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHSM5832ER3R9L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IHSM5832ER3R9L-FT |
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M1AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5CGXBC4C6F27C7N
Intel
10CL055YF484I7G
Intel
EPF10K50VFC484-1
Intel
5SGXMB6R3F40I3N
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XC5VLX220-1FF1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4B256C
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LCMXO2-7000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation