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Número da peça de fabricante | IHSM4825ER2R2L |
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Número da peça futura | FT-IHSM4825ER2R2L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IHSM-4825 |
IHSM4825ER2R2L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±15% |
Classificação atual | 5.7A |
Atual - saturação | 2.9A |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 29 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.540" L x 0.250" W (13.72mm x 6.35mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.225" (5.72mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHSM4825ER2R2L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IHSM4825ER2R2L-FT |
744031220
Wurth Electronics Inc.
744031002
Wurth Electronics Inc.
744031003
Wurth Electronics Inc.
744031006
Wurth Electronics Inc.
744031100
Wurth Electronics Inc.
744031330
Wurth Electronics Inc.
744031001
Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
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Wurth Electronics Inc.
744031101
Wurth Electronics Inc.
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel