casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IHLP6767GZER8R2M11
Número da peça de fabricante | IHLP6767GZER8R2M11 |
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Número da peça futura | FT-IHLP6767GZER8R2M11 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IHLP-6767GZ-11 |
IHLP6767GZER8R2M11 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 8.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 21A |
Atual - saturação | 18A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 8.1 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | 10MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.675" L x 0.675" W (17.15mm x 17.15mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.276" (7.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHLP6767GZER8R2M11 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IHLP6767GZER8R2M11-FT |
ILSB1206ER4R7K
Vishay Dale
ILSB1206ER100K
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ILSB1206ER1R0K
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ILSB1206ER1R8K
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ILSB1206ER220K
Vishay Dale
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel