casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IHLP6767GZER8R2M01
Número da peça de fabricante | IHLP6767GZER8R2M01 |
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Número da peça futura | FT-IHLP6767GZER8R2M01 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IHLP-6767GZ-01 |
IHLP6767GZER8R2M01 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Molded |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 8.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 18A |
Atual - saturação | 25A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 10.66 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.675" L x 0.675" W (17.15mm x 17.15mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.276" (7.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHLP6767GZER8R2M01 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IHLP6767GZER8R2M01-FT |
ILSB1206ER270K
Vishay Dale
ILSB1206ER2R2K
Vishay Dale
ILSB1206ER330K
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ILSB1206ER3R3K
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ILSB1206ER6R8K
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ILSB1206ER8R2K
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A3P600L-FGG484
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LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
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A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
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XC7A200T-3FBG484E
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XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
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LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel