casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IHHP0806ABER2R2M01
Número da peça de fabricante | IHHP0806ABER2R2M01 |
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Número da peça futura | FT-IHHP0806ABER2R2M01 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IHHP-0806AB-01 |
IHHP0806ABER2R2M01 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.8A |
Atual - saturação | 1.9A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 155 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.047" (1.20mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHHP0806ABER2R2M01 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IHHP0806ABER2R2M01-FT |
ILSB0805ER8R2K
Vishay Dale
ILSB0805ERR10K
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ILSB0805ERR47K
Vishay Dale
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel