casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IHD1EB820L
Número da peça de fabricante | IHD1EB820L |
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Número da peça futura | FT-IHD1EB820L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IHD |
IHD1EB820L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 82µH |
Tolerância | ±15% |
Classificação atual | 1.3A |
Atual - saturação | 800mA |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 152 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.270" Dia x 0.700" L (6.86mm x 17.78mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHD1EB820L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IHD1EB820L-FT |
IHD3EB223L
Vishay Dale
IHD3EB100L
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IHD3EB101L
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IHD3EB220L
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XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel