casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IHB6BV223K
Número da peça de fabricante | IHB6BV223K |
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Número da peça futura | FT-IHB6BV223K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IHB |
IHB6BV223K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 22mH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 1.2A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 2.74 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 130°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 2.000" Dia (50.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.500" (38.10mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB6BV223K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IHB6BV223K-FT |
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Vishay Dale
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XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel