casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IHB4BV2R2M
Número da peça de fabricante | IHB4BV2R2M |
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Número da peça futura | FT-IHB4BV2R2M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IHB |
IHB4BV2R2M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 33.8A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 2 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 130°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 1.600" Dia (40.64mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.030" (26.16mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB4BV2R2M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IHB4BV2R2M-FT |
IHB2EB1R2M
Vishay Dale
IHB2EB1R5M
Vishay Dale
IHB2EB1R8M
Vishay Dale
IHB2EB220K
Vishay Dale
IHB2EB221K
Vishay Dale
IHB2EB222K
Vishay Dale
IHB2EB270K
Vishay Dale
IHB2EB271K
Vishay Dale
IHB2EB2R2M
Vishay Dale
IHB2EB2R7M
Vishay Dale
XCV50E-6FG256I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-1FB484C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FF1761I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34E3SG
Intel
EP3C25F324I7
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel