casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IHB4BV121K
Número da peça de fabricante | IHB4BV121K |
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Número da peça futura | FT-IHB4BV121K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IHB |
IHB4BV121K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 120µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 9A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 28 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 130°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 1.600" Dia (40.64mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.030" (26.16mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB4BV121K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IHB4BV121K-FT |
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M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I5
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP20K100EQI240-2X
Intel