casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IHB3BV3R3M
Número da peça de fabricante | IHB3BV3R3M |
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Número da peça futura | FT-IHB3BV3R3M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IHB |
IHB3BV3R3M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 3.3µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 20.3A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 130°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 1.100" Dia (27.94mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.840" (21.34mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB3BV3R3M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IHB3BV3R3M-FT |
IHB1EB471K
Vishay Dale
IHB1EB6R8M
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IHB2BV100K
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IHB2BV101K
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IHB2BV151K
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XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation