casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IHB3BV121K
Número da peça de fabricante | IHB3BV121K |
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Número da peça futura | FT-IHB3BV121K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IHB |
IHB3BV121K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 120µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 5.2A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 46 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 130°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 1.100" Dia (27.94mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.840" (21.34mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB3BV121K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IHB3BV121K-FT |
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Vishay Dale
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EPF10K20TC144-4
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LFEC3E-4TN144C
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M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel