casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IHB2EB821K
Número da peça de fabricante | IHB2EB821K |
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Número da peça futura | FT-IHB2EB821K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IHB |
IHB2EB821K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 820µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 1.2A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 590 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 130°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.825" Dia (20.96mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.840" (21.34mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB2EB821K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IHB2EB821K-FT |
IHB1BV270K
Vishay Dale
IHB1BV271K
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IHB1BV2R2M
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IHB1BV330K
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IHB1BV470K
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IHB1BV4R7M
Vishay Dale
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel