casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IHB2EB6R8M
Número da peça de fabricante | IHB2EB6R8M |
---|---|
Número da peça futura | FT-IHB2EB6R8M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IHB |
IHB2EB6R8M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 6.8µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 11.4A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 7 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 130°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.825" Dia (20.96mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.840" (21.34mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB2EB6R8M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IHB2EB6R8M-FT |
IHB1BV220K
Vishay Dale
IHB1BV221K
Vishay Dale
IHB1BV270K
Vishay Dale
IHB1BV271K
Vishay Dale
IHB1BV2R2M
Vishay Dale
IHB1BV330K
Vishay Dale
IHB1BV331K
Vishay Dale
IHB1BV390K
Vishay Dale
IHB1BV3R3M
Vishay Dale
IHB1BV3R9M
Vishay Dale
EPF10K20TC144-4
Intel
LFEC3E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel