casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IHB2EB6R8M
Número da peça de fabricante | IHB2EB6R8M |
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Número da peça futura | FT-IHB2EB6R8M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IHB |
IHB2EB6R8M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 6.8µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 11.4A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 7 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 130°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.825" Dia (20.96mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.840" (21.34mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB2EB6R8M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IHB2EB6R8M-FT |
IHB1BV220K
Vishay Dale
IHB1BV221K
Vishay Dale
IHB1BV270K
Vishay Dale
IHB1BV271K
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IHB1BV2R2M
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IHB1BV330K
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IHB1BV331K
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IHB1BV390K
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IHB1BV3R3M
Vishay Dale
IHB1BV3R9M
Vishay Dale
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I5
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP20K100EQI240-2X
Intel