casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IHB2EB5R6M
Número da peça de fabricante | IHB2EB5R6M |
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Número da peça futura | FT-IHB2EB5R6M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IHB |
IHB2EB5R6M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 5.6µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 12.3A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 6 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 130°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.825" Dia (20.96mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.840" (21.34mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB2EB5R6M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IHB2EB5R6M-FT |
IHB1BV151K
Vishay Dale
IHB1BV180K
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IHB1BV1R0M
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IHB1BV220K
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IHB1BV331K
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel