casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IHB2EB5R6M
Número da peça de fabricante | IHB2EB5R6M |
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Número da peça futura | FT-IHB2EB5R6M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IHB |
IHB2EB5R6M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 5.6µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 12.3A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 6 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 130°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.825" Dia (20.96mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.840" (21.34mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB2EB5R6M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IHB2EB5R6M-FT |
IHB1BV151K
Vishay Dale
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EPF6024ATC144-2N
Intel
XCS05XL-5VQ100C
Xilinx Inc.
A3P400-1PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C3N
Intel
5SEE9H40C4N
Intel
5SGXEA9K3H40C2N
Intel
AGL400V5-CS196I
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EQC240-2N
Intel
5SGXEA3H2F35C2LN
Intel