casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / IGW03N120H2FKSA1
Número da peça de fabricante | IGW03N120H2FKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IGW03N120H2FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IGW03N120H2FKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 9.6A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 9.9A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 3A |
Potência - Max | 62.5W |
Energia de comutação | 290µJ |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 22nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 9.2ns/281ns |
Condição de teste | 800V, 3A, 82 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IGW03N120H2FKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IGW03N120H2FKSA1-FT |
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