casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / IFS75B12N3E4B31BOSA1
Número da peça de fabricante | IFS75B12N3E4B31BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-IFS75B12N3E4B31BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IFS75B12N3E4B31BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Full Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 150A |
Potência - Max | 385W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 75A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 4.3nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IFS75B12N3E4B31BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IFS75B12N3E4B31BOSA1-FT |
FS75R07U1E4BPSA1
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XC5VSX95T-1FF1136C
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XC7V585T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
XCKU3P-L1SFVB784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F31C5N
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EP2AGZ225FF35C4N
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