casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / IFS100B12N3E4_B39
Número da peça de fabricante | IFS100B12N3E4_B39 |
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Número da peça futura | FT-IFS100B12N3E4_B39 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IFS100B12N3E4_B39 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100A |
Potência - Max | 515W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 6.3nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IFS100B12N3E4_B39 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IFS100B12N3E4_B39-FT |
FS50R12W2T4B11BOMA1
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FS50R12W2T4BOMA1
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LFE3-95EA-7FN672I
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EP3CLS150F780C7N
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