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Número da peça de fabricante | IDC2512ER2R2M |
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Número da peça futura | FT-IDC2512ER2R2M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IDC-2512 |
IDC2512ER2R2M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 2.4A |
Atual - saturação | 2.3A |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 70 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 2512 (6432 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.115" (2.92mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDC2512ER2R2M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IDC2512ER2R2M-FT |
5300-45-RC
Bourns Inc.
5300-47-RC
Bourns Inc.
5300-48-RC
Bourns Inc.
5300-49-RC
Bourns Inc.
7443640100B
Wurth Electronics Inc.
7443640150B
Wurth Electronics Inc.
7443640330B
Wurth Electronics Inc.
7443640470B
Wurth Electronics Inc.
7443640680B
Wurth Electronics Inc.
7443641000B
Wurth Electronics Inc.
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel