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Número da peça de fabricante | IDC2512ER100M |
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Número da peça futura | FT-IDC2512ER100M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IDC-2512 |
IDC2512ER100M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 10µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.1A |
Atual - saturação | 1.1A |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 160 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 2512 (6432 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.115" (2.92mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDC2512ER100M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IDC2512ER100M-FT |
IHD1ER332L
Vishay Dale
IHD1ER391L
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IHD1ER392L
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IHD1EB120L
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A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel