casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / HYB25D128800CE-6
Número da peça de fabricante | HYB25D128800CE-6 |
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Número da peça futura | FT-HYB25D128800CE-6 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HYB25D128800CE-6 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | RAM |
Tecnologia | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Tamanho da memória | 4Mb (256K x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 35ns |
Tempo de acesso | 35ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 44-TSOP II |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HYB25D128800CE-6 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HYB25D128800CE-6-FT |
BR25L020FVM-WTR
Rohm Semiconductor
BR25L040F-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L040FVJ-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L040FVM-WTR
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BR25L080F-WE2
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BR25L160F-WE2
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BR93L56RFVJ-WE2
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BR93L66RFVJ-WE2
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BR93L76RFVJ-WE2
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XC3S1000-4FGG320I
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M1A3P600L-FG484I
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M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
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EP2AGZ350FH29I4N
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5SGSED6N1F45I2N
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XC5VFX130T-1FFG1738I
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XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
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5AGZME1H3F35C4N
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