casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / HUF75652G3

| Número da peça de fabricante | HUF75652G3 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-HUF75652G3 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | UltraFET™ |
| HUF75652G3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 75A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 475nC @ 20V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7585pF @ 25V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 515W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
| Pacote / caso | TO-247-3 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| HUF75652G3 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | HUF75652G3-FT |

GP2M008A060FG
Global Power Technologies Group

GP2M008A060FGH
Global Power Technologies Group

GP2M009A090FG
Global Power Technologies Group

GP2M010A060F
Global Power Technologies Group

GP2M010A065F
Global Power Technologies Group

GP2M012A060F
Global Power Technologies Group

GP2M013A050F
Global Power Technologies Group

GP2M020A050F
Global Power Technologies Group

GP1M003A050HG
Global Power Technologies Group

GP1M003A080H
Global Power Technologies Group

XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.

LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation

M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation

M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation

EP2S60F484C5
Intel

5SGXMA7K3F40C3
Intel

XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.

5AGXMA7G4F35I5N
Intel

EPF8820QC160-4
Intel