casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / HUF75329G3
Número da peça de fabricante | HUF75329G3 |
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Número da peça futura | FT-HUF75329G3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | UltraFET™ |
HUF75329G3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 55V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 49A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 49A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 20V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1060pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 128W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUF75329G3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HUF75329G3-FT |
GP2M008A060FGH
Global Power Technologies Group
GP2M009A090FG
Global Power Technologies Group
GP2M010A060F
Global Power Technologies Group
GP2M010A065F
Global Power Technologies Group
GP2M012A060F
Global Power Technologies Group
GP2M013A050F
Global Power Technologies Group
GP2M020A050F
Global Power Technologies Group
GP1M003A050HG
Global Power Technologies Group
GP1M003A080H
Global Power Technologies Group
GP1M004A090H
Global Power Technologies Group
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
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EPF6016AFC100-3N
Intel