casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / HTEX20161T-4R7MDR
Número da peça de fabricante | HTEX20161T-4R7MDR |
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Número da peça futura | FT-HTEX20161T-4R7MDR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HTEX20161T |
HTEX20161T-4R7MDR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Metal |
Indutância | 4.7µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.5A |
Atual - saturação | 1.7A |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 250 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0806 |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HTEX20161T-4R7MDR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HTEX20161T-4R7MDR-FT |
CMLE063T-6R8MS
Delta Electronics/Cyntec
CMLE063T-8R2MS
Delta Electronics/Cyntec
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CMLE063T-R24MS1R197
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CMLE063T-R68MS
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ICE40HX1K-VQ100
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XCKU095-1FFVC1517I
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XC3S200-4VQ100I
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XC3S50-4VQG100I
Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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EP3SE80F1152I4N
Intel
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