casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / HSMS-8207-TR2G
Número da peça de fabricante | HSMS-8207-TR2G |
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Número da peça futura | FT-HSMS-8207-TR2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HSMS-8207-TR2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Schottky - 2 Pair Series Connection |
Tensão - pico reverso (máximo) | 4V |
Corrente - Max | - |
Capacitância @ Vr, F | 0.26pF @ 0V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 14 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Dissipação de energia (máx.) | 75mW |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Pacote / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-143-4 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-8207-TR2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HSMS-8207-TR2G-FT |
BAR 64-02V E6127
Infineon Technologies
BAR 64-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 65-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 67-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 88-02V E6127
Infineon Technologies
BAR 88-02V E6327
Infineon Technologies
BAT 63-02V E6327
Infineon Technologies
BAR6303WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BA592E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAR6403WE6327HTSA1
Infineon Technologies
EP1K30TI144-2N
Intel
XCKU040-2FBVA676E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG676C
Xilinx Inc.
XC2S100-5PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80U484C8
Intel
EP4CE75F23C8
Intel
LFEC15E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100ABC356-1
Intel
EP1K50QI208-2N
Intel